| 型号： | NSTB60BDW1T1G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANS BRT PNP/NPN 50V GP SC88 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| NSTB60BDW1T1G PDF |  |
| 产品变化通告 | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 150mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 22k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 47k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率 - 转换 | 140MHz |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SC-88 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | NSTB60BDW1T1GOSCT |